深圳澳大利亞SAA電源適配器生產(chǎn)廠(chǎng)家技術(shù)指導(dǎo)

1. 高性能碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件

可以預(yù)見(jiàn)，碳化硅將是21世紀(jì)最可能成功應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件材料，其優(yōu)點(diǎn)是：禁帶寬，工作溫度高（可達(dá)600°C），通態(tài)電阻小，導(dǎo)熱性能好，漏電流極小，PN結(jié)耐壓高等等。

2. 高頻磁技術(shù)

高頻開(kāi)關(guān)變換器中用了多種磁元件，有許多基本問(wèn)題要研究。

（1）隨著開(kāi)關(guān)電源的高頻化，在低頻下可以忽略的某些寄生參數(shù)，在高頻下將對(duì)某些電路性能（如開(kāi)關(guān)尖峰能量、噪聲水平等）產(chǎn)生重要影響。尤其是磁元件的渦流、漏電感、繞組交流電阻Rac和分布電容等，在低頻和高頻下的表現(xiàn)有很大不同。高頻磁技術(shù)理論作為學(xué)科前沿問(wèn)題，仍受到人們的廣泛重視，如：磁心損耗的數(shù)學(xué)建模，磁滯回線(xiàn)的仿真建模，高頻磁元件的計(jì)算機(jī)仿真建模和CAD、高頻變壓器一維和二維仿真模型等。有待研究的問(wèn)題還有：高頻磁元件的設(shè)計(jì)決定了高效率開(kāi)關(guān)電源的性能、損耗分布和波形等，人們希望給出設(shè)計(jì)準(zhǔn)則、方法、磁參數(shù)和結(jié)構(gòu)參數(shù)與電路性能的依賴(lài)關(guān)系，明確設(shè)計(jì)的自由度與約束條件等。

（2）對(duì)高頻磁性材料有如下要求：損耗小，散熱性能好，磁性能優(yōu)越。適用于兆赫級(jí)頻率的磁性材料為人們所關(guān)注，如5~6μm超薄鈷基非晶態(tài)磁帶，1MHz（Bm=0.1T）時(shí)，損耗僅為0.7~1W/cm3，是MnZn高頻鐵氧體的1/3~1/4。納米結(jié)晶軟磁薄膜也在研究。

（3）研究將鐵氧體或其他薄膜材料高密度集成在硅片上。或硅材料集成在鐵氧體上，是一種磁電混合集成技術(shù)。磁電混合集成還包括利用電感箔式繞組層間分布電容實(shí)現(xiàn)磁元件與電容混合集成等。

3. 新型電容器

研究開(kāi)發(fā)適合于功率電源系統(tǒng)用的新型電容器和超級(jí)大電容。要求電容量大、等效電阻（ESR）小、體積小等。據(jù)報(bào)道，美國(guó)在20世紀(jì)90年代末，已開(kāi)發(fā)出330μF新型固體鉭電容，其ESR有顯著下降。

了解更多關(guān)于深圳澳大利亞SAA電源適配器生產(chǎn)廠(chǎng)家請(qǐng)登錄http://www.torfor.com